[发明专利]一种近红外光发射硅基材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110235565.4 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102255016A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 徐骏;孙红程;沐维维;陈坤基;李伟;徐伟;徐岭;刘宇 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 何朝旭 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种近红外光发射硅基材料及其制备方法，属于通讯材料技术领域。该材料包括单晶硅衬底或者石英衬底，所述衬底上沉积有脱氢的硼磷共掺的非晶硅/二氧化硅多层膜；所述多层膜的二氧化硅薄膜之间具有成核并结晶于非晶硅薄膜中的硼磷纳米硅量子点。其制备方法包括采用平板电容型射频等离子体增强化学汽相淀积（PECVD）制备硼磷共掺杂的非晶硅/二氧化硅多层膜、后处理退火薄膜晶化步骤。本发明的纳米晶硅多层结构材料具有低于硅带隙的复合能级，同时克服体硅材料发光效率低下的问题，因此为光互连奠定了基础。其制备方法与微电子技术兼容，有利于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外光 发射 基材 料及 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种近红外光发射硅基材料，包括单晶硅衬底或者石英衬底，其特征在于：所述衬底上沉积有脱氢的硼磷共掺的非晶硅/二氧化硅多层膜；所述多层膜的二氧化硅薄膜之间具有成核并结晶于非晶硅薄膜中的硼磷纳米硅量子点。
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