[发明专利]易开盖刻痕深度的调整方法无效
| 申请号： | 201110226898.0 | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102416426A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 金丽秋;汪伟;蔡慧 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | B21D51/44 | 分类号： | B21D51/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 易开盖刻痕深度的微调方法，在结构上包括：下模(2)、位于下模(2)上部的易开盖盖坯(Q)、绕在下模(2)外围的电热线圈(3)和位于易开盖盖坯(Q)上方空间的上模(1)；其特征在于：其使用方法如下：所述下模(2)的高度(H)是通过绕制在下模(2)外围的电热线圈(3)对下模(2)进行加热造成其发生垂直方向的膨胀程度来微调的，即通过该高度(H)的微调来控制上模(1)底部刀模(W)冲刻易开盖盖坯(Q)时造成该易开盖盖坯(Q)上刻痕(V)的深度(h’)。—由于采用了金属热胀冷缩特性来控制易开盖盖坯(Q)上刻痕(V)的深度(h’)，这就为实现易开盖盖坯(Q)上刻痕(V)深度(h’)的微调创造了条件。 | ||
| 搜索关键词： | 易开盖 刻痕 深度 调整 方法 | ||
【主权项】：
易开盖刻痕深度的微调方法，A.在结构上包括：下模(2)、位于下模(2)正上方的易开盖盖坯(Q)、绕在下模(2)外围的电热线圈(3)和位于易开盖盖坯(Q)上方空间的上模(1)；其特征在于：B.使用方法：所述的下模(2)的高度(H)是通过绕在下模(2)外围的电热线圈(3)对下模(2)进行加热造成下模(2)发生垂直方向的膨胀程度来调整的，即通过该高度(H)的调整来控制上模(1)底部刀模(W)冲刻易开盖盖坯(Q)时造成该易开盖盖坯(Q)上刻痕(V)的深度(h’)。
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