[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110225516.2 申请日: 2011-08-02
公开(公告)号: CN102544125A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 林志雄;简毓苍;张志雄;林昆志;李岳勋 申请(专利权)人: 宇通光能股份有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/075;H01L31/18
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;常大军
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种薄膜太阳能电池及其制造方法,使其电极区具有渐变的掺质浓度。此种太阳能电池包含有一基板、一第一电极区、一光电转换层与一第二电极区。其中,第一电极区配置于基板上,光电转换层配置于第一电极区上,且第二电极区配置于光电转换层上。第一电极区与第二电极区其中的至少一个含有N型掺杂物,且N型掺杂物的浓度是往光电转换层的方向递减。利用此种薄膜太阳能电池及其制造方法,可增进太阳能电池的转换效率,并可与现有的太阳能电池工艺相整合,有助于简化工艺并降低成本。
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池,其特征在于,包括:一基板;一第一电极区,配置于该基板上;一光电转换层,配置于该第一电极区上;以及一第二电极区,配置于该光电转换层上;其中,该第一电极区与该第二电极区其中的至少一个含有一N型掺杂物,且该N型掺杂物的浓度是往该光电转换层的方向递减。
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