[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201110225516.2 | 申请日: | 2011-08-02 |
公开(公告)号: | CN102544125A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 林志雄;简毓苍;张志雄;林昆志;李岳勋 | 申请(专利权)人: | 宇通光能股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/075;H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;常大军 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种薄膜太阳能电池及其制造方法,使其电极区具有渐变的掺质浓度。此种太阳能电池包含有一基板、一第一电极区、一光电转换层与一第二电极区。其中,第一电极区配置于基板上,光电转换层配置于第一电极区上,且第二电极区配置于光电转换层上。第一电极区与第二电极区其中的至少一个含有N型掺杂物,且N型掺杂物的浓度是往光电转换层的方向递减。利用此种薄膜太阳能电池及其制造方法,可增进太阳能电池的转换效率,并可与现有的太阳能电池工艺相整合,有助于简化工艺并降低成本。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池,其特征在于,包括:一基板;一第一电极区,配置于该基板上;一光电转换层,配置于该第一电极区上;以及一第二电极区,配置于该光电转换层上;其中,该第一电极区与该第二电极区其中的至少一个含有一N型掺杂物,且该N型掺杂物的浓度是往该光电转换层的方向递减。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的