[发明专利]沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试图形及其形成方法有效
| 申请号： | 201110220937.6 | 申请日： | 2011-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102915999A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 卞铮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜娟娟;高为 |
| 地址： | 214028 无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试的测试图形，所述测试图形是被形成在衬底上的沟槽，所述沟槽包括底面和从所述底面延伸出的两个侧面，所述沟槽是以使其纵长方向与晶片划片槽的纵长方向形成非90º的预定角度的方式形成在所述衬底上的。本发明的测试图形，可在不改变沟槽宽度的情况下，延长台阶扫描设备的扫描长度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 多晶 腐蚀 台阶 测试 图形 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试的测试图形，所述测试图形是被形成在衬底上的沟槽，所述沟槽包括底面和自底面延伸出的两个侧面，其特征在于，所述沟槽是以使其纵长方向与晶片划片槽的纵长方向形成非90º的预定角度的方式形成在所述衬底上的。
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