[发明专利]适用于RIE绒面的三明治结构正面介质膜及其制备方法

摘要

本发明涉及晶体硅太阳能电池工艺技术领域，尤其是一种适用于RIE绒面的三明治结构正面介质膜及其制备方法。这种适用于RIE绒面的三明治结构正面介质膜，包括底层SiO2薄膜，在底层SiO2薄膜表面覆盖有中间层SiNx薄膜，中间层SiNx薄膜表面覆盖有表层SiO2薄膜。这种适用于RIE绒面的三明治结构正面介质膜的制备方法，包括：(1)、在硅片绒面用干氧氧化方法生长一层SiO2薄膜；(2)、采用PECVD的方法沉积一层富硅的SiNx薄膜；(3)、采用PECVD的方法沉积一层SiO2薄膜。本发明能够有效钝化RIE制绒晶体硅电池，使电池的开路电压提升3-5mV，转换效率提升0.2％-0.4％。

主权项

一种适用于RIE绒面的三明治结构正面介质膜，其特征在于：包括底层SiO2薄膜，所述的底层SiO2薄膜表面覆盖有中间层SiNx薄膜，中间层SiNx薄膜表面覆盖有表层SiO2薄膜。