[发明专利]新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤无效
| 申请号： | 201110209241.3 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102279438A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 庄须叶;罗吉;姚军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;G01D5/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤，包括保留包层和包层替换的光纤消逝场传感光纤，通过在光纤包层上打微纳孔，控制微纳孔的尺寸特征、分布方式及孔底与纤芯界面的距离，并在微纳孔内填充被测物质进行折射率调制。包层替换的新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤是将待处理光纤段的包层除掉，填充替换介质层，控制其折射率，并在上面修饰微纳孔，在微纳孔内填充被测物质，调控被测物质的折射率。本发明采用保留传感光纤包层并在其上打微纳孔和用介质层替换包层并在其上打微纳孔的方法制作了新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤，使高阶模式的消逝场能量最大化的参与反应，提高传感器灵敏度，利于光纤消逝场传感器小型化、集成化的发展。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 结构 光纤 消逝 传感 | ||
【主权项】：
一种新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤，其特征在于包括：保留光纤包层的微纳结构的光纤消逝场传感光纤(16)和包层替换的微纳结构的光纤消逝场传感光纤(23)；所述的保留光纤包层的新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤(16)包括：在光纤(1)上保留待处理光纤段(2)的光纤包层(7)，在光纤包层(7)上设置有径向的微纳孔(8)，微纳孔(8)沿待处理光纤段(2)的轴向设定有孔距(15)，每个微纳孔(8)的孔底(10)距光纤纤芯(6)的界面设定有一段距离(11)，微纳孔(8)内填充被测物质(9)进行折射率调制；所述的包层替换的新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤(23)的特征包括：去除光纤(1)的待处理光纤段(2)的光纤包层(7)的一部分形成残留包层(20)，残留包层(20)与光纤纤芯(6)界面之间有一段距离(19)，在残留包层(20)上覆盖一层替换介质层(21)，在替换介质层(21)上设置有径向的微纳孔(8)，微纳孔(8)沿待处理光纤段(2)的轴向设定有孔距(15)；微纳孔(8)内填充被测物质(9)进行折射率调制。
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