[发明专利]菜花状及表面附氧化物的多晶硅原料的清洗方法及装置无效
| 申请号： | 201110209025.9 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102266859A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 周罗洪;李义;王达山 | 申请（专利权）人： | 营口晶晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/04 | 分类号： | B08B3/04;B08B3/12 |
| 代理公司： | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人： | 王美华 |
| 地址： | 115007 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种菜花状料及表面附有氧化物的多晶硅料的清洗装置，包括酸洗池、溢流池和超声波溢流清洗池，溢流池由隔板分隔成至少两个水池，每个水池的底部具有排水口，隔板上沿有溢流开口；超声波清洗池包括清洗水池和超声波发生器，清洗水池内装有清洗液并具有循环补水装置，还具有对清洗液加热的加热装置。本发明还涉及一种多晶硅硅料的清洗方法：将原材料破碎处理后第一次酸洗；溢流漂洗；第二次酸洗；溢流漂洗；超声溢流漂洗；甩干、烘干；酸洗液采用氢氟酸、硝酸混合溶液。本发明装置方法清洗的菜花状料及表面附有氧化物的多晶硅料表面非常洁净，缝隙里不存在氧化物和其他杂质，标准程序下能达到投炉铸锭或拉晶的生产要求。 | ||
| 搜索关键词： | 菜花 表面 氧化物 多晶 原料 清洗 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种菜花状及表面附有氧化物的多晶硅原料的清洗装置，包括酸洗池、溢流池(1)和超声波溢流清洗池(2)，其特征在于：所述的溢流池(1)由至少一个隔板(11)依次分隔成至少两个水池，每个水池的底部具有排水口(12)，相邻的两个水池之间的隔板(11)的上沿具有溢流开口(13)；所述的超声波清洗池(2)包括清洗水池和设置在清洗水池内的超声波发生器(21)，清洗水池内装有清洗液并具有循环补水装置，所述的超声波发生器(21)设置在清洗水池的两相对的侧壁(22)和底部(23)，还具有对清洗液加热的加热装置(24)。
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