[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201110208265.7 | 申请日: | 2011-07-20 |
公开(公告)号: | CN102593193A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 金修显;安世源;李洪哲 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种薄膜太阳能电池及其制造方法。该薄膜太阳能电池包括设置于衬底上的多个电池。该多个电池中的每一个都包括第一电极,其设置于衬底的一个表面上;至少一个光电转换单元,其设置于第一电极上;背反射层,其包括第一反射层,该第一反射层接触至少一个光电转换单元以及第二反射层,其具有暴露第一反射层的一部分的开口;以及第二电极,其设置在背反射层上。第二反射层接触第一反射层。第二电极通过开口电连接至第一反射层。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池,包括:设置在衬底上的多个电池,其中所述多个电池中的每一个包括:第一电极,其设置在所述衬底的一个表面上;至少一个光电转换单元,其设置在所述第一电极上;背反射层,其包括:第一反射层,所述第一反射层接触所述至少一个光电转换单元;和第二反射层,所述第二反射层具有暴露所述第一反射层的一部分的开口,所述第二反射层接触所述第一反射层;以及第二电极,所述第二电极设置在所述背反射层上,所述第二电极通过所述开口电连接至所述第一反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的