[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110208265.7 申请日: 2011-07-20
公开(公告)号: CN102593193A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 金修显;安世源;李洪哲 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 夏凯;谢丽娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了一种薄膜太阳能电池及其制造方法。该薄膜太阳能电池包括设置于衬底上的多个电池。该多个电池中的每一个都包括第一电极,其设置于衬底的一个表面上;至少一个光电转换单元,其设置于第一电极上;背反射层,其包括第一反射层,该第一反射层接触至少一个光电转换单元以及第二反射层,其具有暴露第一反射层的一部分的开口;以及第二电极,其设置在背反射层上。第二反射层接触第一反射层。第二电极通过开口电连接至第一反射层。
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池,包括:设置在衬底上的多个电池,其中所述多个电池中的每一个包括:第一电极,其设置在所述衬底的一个表面上;至少一个光电转换单元,其设置在所述第一电极上;背反射层,其包括:第一反射层,所述第一反射层接触所述至少一个光电转换单元;和第二反射层,所述第二反射层具有暴露所述第一反射层的一部分的开口,所述第二反射层接触所述第一反射层;以及第二电极,所述第二电极设置在所述背反射层上,所述第二电极通过所述开口电连接至所述第一反射层。
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