[发明专利]一种在绝缘基底上制备石墨烯纳米带的方法

摘要

本发明提供了一种在具有原子级平整度解理面的绝缘基底上生长石墨烯纳米带的方法，属于低维材料和新材料领域。该方法包括如下步骤：第一步解理绝缘基底得到具有原子级平整度的解理面并制备单原子层台阶；第二步以具有规则单原子台阶的绝缘基底直接生长石墨烯纳米带。本发明利用了石墨烯在原子台阶和平整解理面上成核功不同的特点，通过调节温度、压强、活性碳原子过饱和度等条件使石墨烯仅沿台阶边缘生长，生长成为尺寸可调的石墨烯纳米带。主要应用于新型石墨烯光电器件领域。

主权项

一种在绝缘基底上制备石墨烯纳米带的方法，包括如下步骤：1)在绝缘基底上制备单原子层台阶；2)在步骤1)所获得的具有单原子层台阶的绝缘基底上直接生长石墨烯纳米带。