[发明专利]一种霍山石斛体细胞胚发生的方法有效

专利信息
申请号: 201110179435.3 申请日: 2011-06-30
公开(公告)号: CN102246697A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 朱慧秋 申请(专利权)人: 芜湖华信生物药业股份有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 合肥金安专利事务所 34114 代理人: 金惠贞
地址: 241006 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种霍山石斛体细胞胚发生的方法。该方法包括以下操作步骤:(1)无菌试管苗的诱导;(2)胚性愈伤组织的诱导;(3)体细胞胚的诱导;(4)体细胞胚的同步化增殖,得到大量霍山石斛体细胞胚。本发明通过取无菌试管苗的带节的茎段的形态学下端为外殖体,并控制诱导培养基的氧化还原电位,而不需要添加外源激素诱导获得霍山石斛胚性愈伤组织,避免了外源激素通过体细胞胚富集到完整植株中而危害人体健康。通过控制环境湿度使胚性愈伤组织发生为体细胞胚,达到球形体细胞胚一致性90%以上,再生植株存活率85%以上。本发明操作工艺简单,不受时间、季节限制,可在室内工厂自动化生产霍山石斛体细胞胚及试管苗以供生产栽培的需要。
搜索关键词: 一种 霍山 石斛 体细胞 发生 方法
【主权项】:
一种霍山石斛体细胞胚发生的方法,其特征在于包括以下操作步骤:(1)无菌试管苗的诱导取霍山石斛成熟果实,先用质量分数为1%的次氯酸钠水溶液进行表面消毒60 min,再用无菌双蒸馏水冲洗3~5次,然后切开果实,取出种子,并将种子撒在固体MS培养基上,于温度22±2℃、光照强度2000~3000勒克斯、每天光照12小时的条件下培养6~7个月,获得4‑6 cm长的霍山石斛无菌试管苗;(2)胚性愈伤组织的诱导取无菌试管苗的带节的茎段的形态学下端,插入氧化还原电位为‑0.03~‑0.02伏的固体透导培养基中,于温度22±2℃、黑暗中诱导培养20~25天,得胚性愈伤组织;(3)体细胞胚的诱导将胚性愈伤组织转移到固体MS培养基中,在相对湿度为70~85%、温度22±2℃、光照强度2000~3000勒克斯、每天光照12小时的条件下诱导培养3周后,转接到固体MS培养基中,在相对湿度为70~85%、温度22±2℃、光照强度2000~3000勒克斯、每天光照12小时的条件下诱导培养3周;按本步骤的诱导操作条件连续转接10~15次,转接培养基为固体MS培养基,得体细胞胚;(4)体细胞胚的同步化增殖将体细胞胚转移到液体MS培养基或固体MS培养基中,在温度22±2℃、光照强度2000~3000勒克斯、每天光照12小时的条件下,采用过筛法或饥饿法同步化增殖培养,得霍山石斛体细胞胚。
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