[发明专利]一种并联电阻型存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201110146823.1 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102810632A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;田晓鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体存储器技术领域，涉及一种并联电阻型存储器及其制备方法。所述的并联电阻型存储器，包括若干存储块，每个存储块由一个晶体管与若干并联存储单元串联构成，其中，并联存储单元由具有整流特性的器件与具有阻变特性的器件构成。本发明解决了1T1R结构无法达到NAND Flash存储密度的情况，及交叉点存储阵列漏电流大的问题；所述的制备方法能有效的提高存储密度，解决漏电流大的问题。本发明中的二极管由多晶硅制成，其与于氧化物二极管相比，具有较好的整流特性，同时所述的多晶硅二极管采用脉冲激光退火的方式，避免了高温处理对存储器产生的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 并联 电阻 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种并联电阻型存储器，包括若干存储块，每个存储块由一个晶体管与若干并联存储单元串联构成，其特征在于，还包括并联存储单元由具有整流特性的器件与具有阻变特性的器件构成。
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