[发明专利]WSI线性颗粒的解决方法在审
| 申请号： | 201110143790.5 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102810458A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 吕淑瑞 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种消除WSI线形颗粒的解决方法，首先将圆片放入酸槽的酸液中，酸液的成份为HF∶H2O＝1∶50并且酸液处于循环状态；其次，每隔20s提起圆片一次，让循环的酸液充分带走颗粒；然后，再次将圆片放入酸液内，这样N个循环(N＞1)后将圆片冲水且甩干。本方法能完全消除WSI线形颗粒，从而防止多晶硅蚀刻后残留产生。 | ||
| 搜索关键词： | wsi 线性 颗粒 解决方法 | ||
【主权项】：
一种消除WSI线形颗粒的解决方法，其特征在于：首先将圆片放入酸槽的酸液中，酸液的成份为HF∶H2O＝1∶50并且酸液处于循环状态；其次，每隔20S提起圆片一次，让循环的酸液充分带走颗粒；然后，再次将圆片放入酸液内，这样N个循环(N＞1)后将圆片冲水且甩干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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