[发明专利]一种雪崩光电二极管探测阵列制备方法

摘要

本发明属于光电探测类，具体涉及一种雪崩光电二极管探测阵列制备方法，可以应用于激光三维成像等主动成像和测绘领域，该方法的雪崩光电二极管阵列主要由微透镜阵列、多模光纤、和雪崩光电二极管点探测器构成，该技术将多个独立运行的雪崩光电二极管点探测器重新集成，成为阵列探测器，保持了雪崩光电二极管点探测器高灵敏的探测性能，避免了单个基片上雪崩光电二极管阵列各个像元之间相互串扰，以及工作点不均匀的缺陷，实现探测信号并行输出的中小规模的雪崩光电二极管阵列，该雪崩光电二极管阵列采用微透镜阵列作为探测平面，通过改变微透镜阵列的透镜像元的分布，可以灵活的实现各种像元分布的雪崩光电二极管阵列。该技术非常适合实现高灵敏的中小规模的雪崩光电二极管阵列。

主权项

一种雪崩光电二极管探测阵列制备方法，其特征在于所述方法按照所述探测阵列的像元分布方式并以与之匹配对应的方式提供一种微透镜阵列，作为探测平面，入射到所述微透镜阵列平面的平行光或者近似平行光聚焦成若干光斑，所述若干光斑呈相同阵列排布，所述光斑耦合进多模光纤中，并通过多模光纤入射到与所述多模光纤耦合的雪崩光电二极管中，其中所述光斑的数量、所述多模光纤的数量以及所述雪崩光电二极管的数量分别一一对应，即每个雪崩光电二极管探测的光信号对应于所述微透镜阵列平面上一个像元，入射到微透镜阵列平面上的光信号，每束光都有对应的多模光纤耦合的雪崩光电二极管进行探测。