[发明专利]一种具有旁路二极管的晶体硅太阳电池组件的制备方法有效
申请号: | 201110007744.2 | 申请日: | 2011-01-14 |
公开(公告)号: | CN102157607A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 沈辉;陈开汉 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有旁路二极管的晶体硅太阳电池组件的制备方法,在晶体硅太阳电池的局部区域印刷浆料,经烧结后在晶体硅片局部区域形成p-n结方向与主体太阳电池p-n结方向相同的旁路二极管,再将所述的旁路二极管与主体太阳电池隔离开,制得具有旁路二极管的晶体硅太阳电池,最后通过互连条将制得的太阳电池连接成组件。本发明在晶体硅太阳电池的局部区域形成一个旁路二极管,经测试旁路二极管单向导电性能显著,该方法制备的太阳电池便于封装,通过互连条连接成组件后,组件中每一片太阳电池都并联有一个旁路二极管,当单个太阳电池被遮挡或者出现故障时将被二极管旁路,减少组件输出功率的损失,保证组件工作的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 旁路 二极管 晶体 太阳电池 组件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有旁路二极管的晶体硅太阳电池组件的制备方法,其特征在于含下述步骤:(1)按照常规晶体硅太阳电池制造工艺,制备出扩散后且单面镀有减反射膜的晶体硅片;(2)在晶体硅片未镀有减反射膜的一面印刷太阳电池背面电极、旁路二极管背面电极、太阳电池背面电场、旁路二极管背面电场,在晶体硅片镀有减反射膜的一面印刷太阳电池正面电极、旁路二极管正面电极,背面印刷与正面印刷不分先后次序,每次印刷后各自烘干即可;(3)将步骤(2)的晶体硅片烧结后在晶体硅片局部区域形成p‑n结方向与主体太阳电池p‑n结方向相同的旁路二极管,再将旁路二极管与主体太阳电池隔离后制得具有旁路二极管的晶体硅太阳电池,最后用互连条将制得的太阳电池连接成组件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的