[发明专利]一种MOCVD石墨盘清洁装置无效
申请号: | 201110006343.5 | 申请日: | 2011-01-13 |
公开(公告)号: | CN102174690A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 刘建平;张永红;王峰;王怀兵;朱建军;张书明;杨辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种MOCVD石墨盘清洁装置,其包括:气路控制器,真空反应室,加热单元,压力控制器,泵,尾气处理装置;带腐蚀性的气体与载气进入所述气路控制器中,该气路控制器将其按比率混合后通入所述的真空反应室内,所述的加热单元进行加热控温,且所述的压力控制器进行压力控制,该混合气体与石墨盘表面沉积物充分反应,反应残留物通过泵随载气一起排出真空反应室,进入尾气处理装置进行净化处理。本发明所公开的装置结构简单、制造和使用成本低廉、清洁石墨盘时效果好、处理时间短,广泛适用于外延生长后附着在石墨盘上的固体沉积物的清洁。 | ||
搜索关键词: | 一种 mocvd 石墨 清洁 装置 | ||
【主权项】:
一种MOCVD石墨盘清洁装置,其特征在于,其包括:气路控制器,真空反应室,加热单元,压力控制器,泵,尾气处理装置;带腐蚀性的气体与载气进入所述气路控制器中,该气路控制器将其按比率混合后通入所述的真空反应室内,所述的加热单元进行加热控温,且所述的压力控制器进行压力控制,该混合气体与石墨盘表面沉积物充分反应,反应残留物通过泵随载气一起排出真空反应室,进入尾气处理装置进行净化处理。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的