[发明专利]光电动势装置及其制造方法

摘要

半导体基板(基板)，具有杂质扩散层；第1电极，贯通形成在杂质扩散层上的反射防止膜而与杂质扩散层电连接；背面绝缘膜，具有到达基板的另一面侧的多个开口部而形成；第2电极，形成于基板的另一面侧；以及背面反射膜，由通过气相生长法形成的金属膜构成、或者包括金属箔而构成，至少在背面绝缘膜上覆盖地形成，第2电极包括：Al类电极，在基板的另一面侧被埋入到开口部而与基板的另一面侧连接；以及Ag类电极，在基板的另一面侧设置于开口部之间的区域而至少一部分贯通背面绝缘膜与基板的另一面侧电连接，基板的面内的Ag类电极的面积、和使银类电极的图案在基板的面内向外侧扩张了与载流子的扩散长度相应大小的周边区域的面积之和是基板的另一面侧的面积的10％以下。

主权项

一种光电动势装置，其特征在于，具备：第1导电类型的半导体基板，在一面侧具有扩散了第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层；反射防止膜，形成于所述杂质扩散层上；第1电极，贯通所述反射防止膜而与所述杂质扩散层电连接；背面绝缘膜，具有到达所述半导体基板的另一面侧的多个开口部而形成于所述半导体基板的另一面侧；第2电极，形成于所述半导体基板的另一面侧；以及背面反射膜，由通过气相生长法形成的金属膜构成、或者包括金属箔而构成，至少在所述背面绝缘膜上覆盖地形成，所述第2电极包括：铝类电极，由包含铝的材料构成，在所述半导体基板的另一面侧至少被埋入到所述开口部而与所述半导体基板的另一面侧连接；以及银类电极，由包含银的材料构成，在所述半导体基板的另一面侧设置于所述开口部之间的区域，至少一部分贯通所述背面绝缘膜与所述半导体基板的另一面侧电连接，并且经由所述背面反射膜与所述铝类电极电连接，所述半导体基板的面内的所述银类电极的面积、和使所述银类电极的图案在所述半导体基板的面内向外侧扩张了与所述半导体基板内的载流子的扩散长度相应大小的周边区域的面积之和是所述半导体基板的另一面侧的面积的10％以下。