[发明专利]薄膜晶体管组合物及其相关方法

摘要

本公开涉及薄膜晶体管组合物。所述薄膜晶体管组合物具有半导体材料和基板。所述基板由聚酰亚胺和亚微米级填料组成。所述聚酰亚胺衍生自至少一种芳族二酸酐组分和至少一种芳族二胺组分，所述芳族二酸酐组分选自刚棒二酸酐、非刚棒二酸酐以及它们的组合，所述芳族二胺组分选自刚棒二胺、非刚棒二胺以及它们的组合。所述二酸酐与二胺的摩尔比为48-52:52-48，并且X:Y的比率为20-80:80-20，其中X为刚棒二酸酐和刚棒二胺的摩尔百分比，并且Y为非刚棒二酸酐和非刚棒二胺的摩尔百分比。所述亚微米级填料在至少一个尺寸上小于550纳米；具有大于3:1的长宽比；在所有尺寸上小于所述膜的厚度。

主权项

薄膜晶体管组合物，包含：A)半导体材料；B)基板，具有在所述基板的最靠近半导体材料一侧上的第一表面和在所述基板的另一侧上的第二表面，并且具有5‑150微米的厚度，所述基板包含：a)衍生自以下物质的聚酰亚胺：i)至少一种芳族二酸酐组分，所述芳族二酸酐组分选自刚棒二酸酐、非刚棒二酸酐以及它们的组合，和ii)至少一种芳族二胺组分，所述芳族二胺组分选自刚棒二胺、非刚棒二胺以及它们的组合；其中基于所述聚酰亚胺的总二酸酐组分和总二胺组分计，所述二酸酐与二胺的摩尔比为48‑52:52‑48，并且X:Y的比率为20‑80:80‑20，其中X为刚棒二酸酐和刚棒二胺的摩尔百分比，并且Y为非刚棒二酸酐和非刚棒二胺的摩尔百分比；和b)亚微米级填料：i)在至少一个尺寸上小于（数均）550纳米；ii)具有大于3:1的长宽比；iii)在所有尺度上小于所述基板的厚度；并且iv)以所述基板的10‑45体积%的量存在。