[发明专利]具有间隙挡块的微机电系统（MEMS）及其制造方法有效
| 申请号： | 201080055688.3 | 申请日： | 2010-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102762490A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 朴宇泰;利萨·H·卡林;刘连军 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李宝泉;周亚荣 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成微机电系统（MEMS）（10）的方法，包括：提供封盖衬底（52），提供支撑衬底（12），在支撑衬底上沉积导电材料（22），图案化导电材料以形成间隙挡块（40，44）和触点，其中间隙挡块通过开口（36，38）与触点分隔，在触点上以及开口中形成键合材料（58），其中间隙挡块和触点防止键合材料延伸到开口外，以及通过形成键合材料的步骤将封盖衬底附接至支撑衬底。此外，描述了该结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 间隙 微机 系统 mems 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成微机电系统（MEMS）的方法，包括：提供封盖衬底；提供支撑衬底；在所述支撑衬底上沉积导电材料；图案化所述导电材料以留下形成间隙挡块和触点的导电部分，其中所述间隙挡块通过开口与所述触点分隔；在所述触点上以及所述开口中形成键合材料，其中所述间隙挡块和所述触点防止所述键合材料延伸到所述开口外；以及通过形成所述键合材料的步骤将所述封盖衬底附接至所述支撑衬底。
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