[发明专利]用于光伏电池的新本征吸收体层无效
| 申请号： | 201080052328.8 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102844892A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | S-N.巴克赫-阿南加;S.贝纳格利 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康太阳能股份公司（特吕巴赫） |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/0392;H01L31/075;C23C16/24;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;卢江 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 为了通过PECVD沉积，在基础结构上，于太阳能电池的p-i-n配置内制造出非晶氢化硅的本征吸收体层，因此改进生产量同时维持吸收体层的质量，已提出了特定的加工状况，其中在用来沉积所提出的吸收体层的反应器中，建立1毫巴至1.8毫巴间的压力及硅烷流与氢流，其中硅烷对氢的稀释为1：4高至1：10，及以每1.4平方米待涂覆的基础结构表面在600瓦至1200瓦间的产生器功率产生RF等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电池 吸收体 | ||
【主权项】：
一种在太阳能电池的p‑i‑n配置中制造非晶氢化硅的本征吸收体层的方法，其通过在反应器中在用于所述层的基础结构上PECVD沉积所述层来进行，所述沉积包括：‑在所述反应器中建立1毫巴至1.8毫巴间的压力；‑建立硅烷流与氢流，其中硅烷对氢的稀释为1：4高至1：10；‑以每1.4平方米待涂覆的基础结构表面在600瓦至1200瓦间的产生器功率产生RF等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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