[发明专利]发光元件、光源装置和投影显示装置有效

专利信息
申请号: 201080049200.6 申请日: 2010-10-14
公开(公告)号: CN102598852A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 枣田昌尚;富永慎;斋藤悟郎;今井雅雄 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H05B33/02 分类号: H05B33/02;G02B1/02;G02B3/00;G02B5/18;G02B5/30;G02B27/28;G03B21/14;H01L33/22;H01L51/50
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 孙志湧;安翔
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 光源层(4)具有基板(10),和被设置在基板(10)上的由空穴输送层(11)和电子输送层(13)组成的一对层。方向性控制层(5)具有在光源层(4)的与其基板(10)侧相反的侧层叠并且具有高于从光源层(4)出射的光的频率的等离子体频率的等离子体激元激发层(15),和在等离子体激元激发层(15)上层叠并且转换从等离子体激元激发层(15)引入的光从而以预定输出角度出射光的波矢量转换层(17)。等离子体激元激发层(15)被夹在低介电常数层(14)和高介电常数层(16)之间。
搜索关键词: 发光 元件 光源 装置 投影 显示装置
【主权项】:
一种发光元件,包括:光源层;和光学元件层,所述光学元件层堆叠在所述光源层上,来自所述光源层的光进入所述光学元件层中,其中:所述光源层包括基板和在所述基板上形成的一对层,即,空穴输送层和电子输送层;所述光学元件层包括:等离子体激元激发层,所述等离子体激元激发层堆叠在所述光源层的与所述光源层的所述基板侧相反的侧,并且具有高于从所述光源层输出的光的频率的等离子体频率;和出射层,所述出射层堆叠在所述等离子体激元激发层上,所述出射层将从所述等离子体激元激发层入射的光转换成具有预定出射角的光以输出所述光;并且所述等离子体激元激发层被夹在具有介电性质的两个层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社,未经日本电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080049200.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top