[发明专利]制备硫化铜锡和硫化铜锌锡薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201080021982.2 申请日: 2010-05-21
公开(公告)号: CN102439096A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: L·K·约翰森;M·卢;J·W·小卡特伦;D·R·拉杜 申请(专利权)人: 纳幕尔杜邦公司
主分类号: C09D11/00 分类号: C09D11/00;C09D11/02;C23C18/04;H01L31/04;H01L51/10;C23C18/12;C09D1/00;C09D7/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 孟慧岚;李炳爱
地址: 美国特*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及在基材上制备CTS和CZTS以及它们硒类似物的薄膜的方法。此类薄膜可用于制备光伏器件。本发明还涉及制备涂覆的基材和制备光伏器件的方法。
搜索关键词: 制备 硫化铜 薄膜 方法
【主权项】:
方法,所述方法包括:a)制备油墨,所述油墨包含:i)铜源,所述铜源选自基于氮、氧、碳、硫和硒的有机配体的铜络合物、硫化铜、硒化铜、以及它们的混合物;ii)锡源,所述锡源选自基于氮、氧、碳、硫和硒的有机配体的锡络合物、氢化锡、硫化锡、硒化锡、以及它们的混合物;iii)任选的锌源,所述锌源选自基于氮、氧、碳、硫和硒的有机配体的锌络合物、硫化锌、硒化锌、以及它们的混合物;iv)任选的硫属元素化合物,所述硫属元素化合物选自:元素S、元素Se、CS2、CSe2、CSSe、R1S‑Z、R1Se‑Z、R1S‑SR1、R1Se‑SeR1、R2C(S)S‑Z、R2C(Se)Se‑Z、R2C(Se)S‑Z、R1C(O)S‑Z、R1C(O)Se‑Z、以及它们的混合物,其中每个Z独立地选自:H、NR44和SiR53;其中R1和R5各自独立地选自:烃基以及O‑、N‑、S‑、卤素‑和三(烃基)甲硅烷基‑取代的烃基;每个R2独立地选自烃基,O‑、N‑、S‑、Se‑、卤素‑和三(烃基)甲硅烷基‑取代的烃基,以及基于O、N、S和Se的官能团;并且每个R4独立地选自氢、O‑、N‑、S‑、Se‑、卤素‑和三(烃基)甲硅烷基‑取代的烃基,以及基于O、N、S和Se的官能团;v)任选的溶剂;以及b)将油墨设置到基材上以形成涂覆的基材;前提条件是:如果不存在溶剂,则硫属元素化合物和锡源中的至少一种在室温下为液体;并且如果铜源选自硫化铜和硒化铜并且锡源选自硫化锡和硒化锡,则溶剂不为肼。
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