[发明专利]包含抑制剂的无空隙亚微米结构填充用金属电镀组合物

摘要

一种用于填充孔尺寸为30纳米或更小的亚微米尺寸结构的组合物，其包含铜离子源和至少一种选自式I化合物的抑制剂；其中-基团R¹各自独立地选自氧化乙烯与至少一种其他C₃-C₄氧化烯的共聚物，所述共聚物为无规共聚物，-基团R²各自独立地选自R¹或烷基，-X和Y独立地为间隔基，且对于每一重复单元X独立地选自C₁-C₆亚烷基和Z-(O-Z)_m，其中基团Z各自独立地选自C₂-C₆亚烷基，-n为等于或大于0的整数，-m为等于或大于1的整数。

主权项

1.一种用于填充孔尺寸为30纳米或更小的亚微米尺寸结构的组合物，其包含铜离子源和至少一种选自式I化合物的抑制剂：其中-基团R¹各自独立地选自氧化乙烯与至少一种其他C₃-C₄氧化烯的共聚物，所述共聚物为无规共聚物，-基团R²各自独立地选自R¹或烷基，-X和Y独立地为间隔基，且对于每一重复单元X独立地选自C₁-C₆亚烷基和Z-(O-Z)_m，其中基团Z各自独立地选自C₂-C₆亚烷基，-n为等于或大于0的整数，-m为等于或大于1的整数。