[发明专利]气体屏蔽膜、包含它的电子器件、气体屏蔽袋、以及气体屏蔽膜的制造方法

摘要

本发明提供一种气体屏蔽膜，与塑料薄膜(1)的各主面接触的气体屏蔽层(2)是利用催化CVD得到的SiCNFH层，满足0.01＜I(SiH)/I(SiN)＜0.05、0.00＜I(CH)/I(SiN)＜0.07、0.04＜I(NH)/I(SiN)＜0.08、以及0.05＜I(CF)/I(SiN)＜0.3的条件，或者是SiOCNH层，满足0.1＜I(SiH)/I(NH)＜0.9、0.0＜I(CH)/I(NH)＜0.3、8＜I(SiN)/I(NH)＜20、以及2＜I(SiO2)/I(NH)＜8的条件，或者是SiCNH层，满足0.01＜I(SiH)/I(SiN)＜0.05、0.00＜I(CH)/I(SiN)＜0.07、以及0.04＜I(NH)/I(SiN)＜0.08的条件。这里，I表示有关附记在其后的括号内的原子键的傅立叶变换红外分光光谱的峰强度。

主权项

一种气体屏蔽膜，其特征在于，具有与塑料薄膜(1)的两个主面分别接触的气体屏蔽层(2)，所述气体屏蔽层是利用Cat‑CVD堆积的SiCNFH层、SiOCNH层以及SiCNH层中的任意一种，所述SiCNFH层满足0.01＜I(SiH)/I(SiN)＜0.05、0.00＜I(CH)/I(SiN)＜0.07、0.04＜I(NH)/I(SiN)＜0.08、以及0.05＜I(CF)/I(SiN)＜0.3的条件，所述SiOCNH层满足0.1＜I(SiH)/I(NH)＜0.9、0.0＜I(CH)/I(NH)＜0.3、8＜I(SiN)/I(NH)＜20、以及2＜I(SiO2)/I(NH)＜8的条件，此外，所述SiCNH层满足0.01＜I(SiH)/I(SiN)＜0.05、0.00＜I(CH)/I(SiN)＜0.07、以及0.04＜I(NH)/I(SiN)＜0.08的条件，这里，I表示有关附记在其后的括号内的原子键的傅立叶变换红外分光光谱的峰强度。