[发明专利]超能电池结构及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201019164022.0 申请日: 2010-02-01
公开(公告)号: CN101783411A 公开(公告)日: 2010-07-21
发明(设计)人: 李方红;彭世明;汤波 申请(专利权)人: 鸿源控股有限公司
主分类号: H01M10/00 分类号: H01M10/00;H01M2/14;H01M10/04
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518000 广东省深圳市高新*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种超能电池结构及其制作方法,该方法包括:步骤1、提供隔膜材料;步骤2、将隔膜材料分别放入不同溶液中经多次浸泡处理;步骤3、对经多次浸泡后的隔膜材料采用高、低温交替处理,及耐酸、耐碱性交替处理;步骤4、对上述处理后的隔膜材料进行空间定向、及喷射处理制得超能隔离膜;步骤5、将上述超能隔离膜设于正、负电极之间,制得超能电池。本发明的超能电池采用纸状的超能隔离膜,其具有较高的正离子通透率,且可以在很大程度上提高对电池充电的效率。
搜索关键词: 超能 电池 结构 及其 制作方法
【主权项】:
一种超能电池结构,其特征在于,包括包括一正电极、负电极、及设于该正、负电极之间的超能隔离膜,该超能隔离膜为纸状隔离膜。
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