[发明专利]输入电路有效
| 申请号： | 201010553872.2 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102064694A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 山崎太郎;宇都宫文靖 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/155 | 分类号： | H02M3/155 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供缓冲磁滞电压或响应速度的电源电压相关性且具有在宽范围的电源电压条件下进行动作的磁滞特性的输入电路。设有在低电源电压条件下磁滞电压变小的电路(PMOS晶体管(101～103)及反相器(501))和在低电源电压条件下磁滞电压变大的电路(PMOS晶体管(101、104)及反相器(501))。 | ||
| 搜索关键词： | 输入 电路 | ||
【主权项】：
一种输入电路，其特征在于包括：输入电压被输入的输入端子；输出基于所述输入电压的输出信号的输出端子；栅极上被输入所述输入电压且在所述输入电压为低电平时对第一节点进行充电的第一PMOS晶体管；栅极上被输入所述输入电压且在所述输入电压为高电平时使所述第一节点放电的第一NMOS晶体管；栅极上被输入所述输入电压且在所述输入电压为低电平时对所述第一节点进行充电的第二PMOS晶体管；在所述第一节点的电压为低电平时截断所述第二PMOS晶体管对所述第一节点的充电路径的第一截断单元；以及在所述第一节点的电压为高电平时对所述第一节点进行充电的第三PMOS晶体管。
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