[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法有效
| 申请号： | 201010504450.6 | 申请日： | 2010-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102044556A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 崔新逸;丁有光;李基晔;杨东周;宋溱镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜晶体管阵列面板以及一种防止在信号线上形成杂质粒子的薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管阵列面板包括：基板；信号线，设置在基板上并包括铜(Cu)；钝化层，设置在信号线上并具有暴露信号线的一部分的接触孔；以及导电层，设置在钝化层上，并通过接触孔连接至信号线的该部分，其中，钝化层包括有机钝化层，有机钝化层包括不包含硫的有机绝缘体。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；信号线，设置在所述基板上并包括铜；钝化层，设置在所述信号线上，并具有暴露所述信号线的一部分的接触孔；以及导电层，设置在所述钝化层上，并通过所述接触孔连接至所述信号线的所述部分，其中，所述钝化层包括有机钝化层，所述有机钝化层包括不包含硫的有机绝缘体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010504450.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：改良插座
- 下一篇：内脚埋入芯片倒装锁定孔散热块凸柱外接散热器封装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
