[发明专利]一种采用原子层淀积AlN/高k栅介质双层结构的方法无效
| 申请号： | 201010503879.3 | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102005380A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 谭葛明;王鹏飞;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种采用原子层淀积AlN/高k栅介质双层结构的方法。其步骤包括将清洗后的半导体衬底装入ALD反应腔；采用原子层淀积的方法淀积AlN钝化层；继续在ALD反应腔中淀积高k栅介质层。AlN是一种宽禁带、高介电常数半导体材料，采用原子层淀积的方法可以淀积高质量、厚度可以精确控制到埃的数量级的AlN钝化层和高k栅介质。AlN钝化层可以阻挡高k栅介质和衬底材料的扩散和反应，防止衬底表面生长自然氧化物，同时，AlN钝化层的热稳定性好，可以提高栅介质的结晶温度，减小栅极泄漏电流，从而可以提高MOS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 原子 层淀积 aln 介质 双层 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种采用原子层淀积AlN/高k栅介质双层结构的方法，其特征在于具体步骤包括：(1)将清洗后的半导体衬底装入ALD反应腔；(2)采用原子层淀积的方法淀积AlN钝化层；(3)继续在ALD反应腔中淀积高k栅介质层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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