[发明专利]一种可变增益低噪声驱动放大器

摘要

本发明公开了一种可变增益低噪声驱动放大器，该放大器采用全差分共源共栅结构，共栅级采用三个并排的锗化硅双极型晶体管，中间的锗化硅双极型晶体管采用并联电容反馈，采用合理的输入输出匹配电路，为电路提供一个高的可变增益，降低了噪声系数。其中共源共栅电路在提供高增益的同时增加了电路的反向隔离度，共源放大电路进一步提高了电路的增益。通过控制外接偏压的选择获得3dB步长的可变增益。本发明具有可变增益高，低噪声，功耗低的特点。

主权项

一种可变增益低噪声驱动放大器，其特征在于该驱动放大器包括：差分信号输入端RFIN1及RFIN2、差分信号输出端RFOUT1及RFOUT2、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、第四晶体管Q4、第五晶体管Q5、第六晶体管Q6、第七晶体管Q7、第八晶体管Q8、第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10、第十一电容C11、第十二电容C12，地线端GND，具体连接方式：第一晶体管Q1的基极与第三电容C3和第一电阻R1连接，发射极与地线端GND连接，集电极与第三晶体管Q3的集电极、第五晶体管Q5的集电极和第七晶体管Q7的发射极连接；第二晶体管Q2的基极与第四电容C4和第二电阻R2连接，发射极与地线端GND连接，集电极与第四晶体管Q4的集电极、第六晶体管Q6的集电极和第八晶体管Q8的发射极连接；第三晶体管Q3的基极与第五电容C5、第三电阻R3和第九电容C9连接，发射极与地线端GND连接，集电极与第一晶体管Q1的集电极、第五晶体管Q5的集电极和第七晶体管Q7的发射极连接；第四晶体管Q4的基极与第六电容C6、第四电阻R4和第十电容C10连接，发射极与地线端GND连接，集电极与第二晶体管Q2的集电极、第六晶体管Q6的集电极和第八晶体管Q8的发射极连接；第五晶体管Q5的基极与第七电容C7和第五电阻R5连接，发射极与地线GND连接，集电极与第三晶体管Q3的集电极、第五晶体管Q5的集电极和第七晶体管Q7的发射极连接；第六晶体管Q6的基极与第八电容C8和第六电阻R6连接，发射极与地线GND连接，集电极与第二晶体管Q2的集电极、第四晶体管Q4的集电极和第八晶体管Q8的发射极连接；第七晶体管Q7的基极与电源端VDD连接，发射极与第一晶体管Q1、第三晶体管Q3和第五晶体管Q5的集电极连接，集电极与第三电感L3和第十一电容C11连接；第八晶体管Q8的基极与电源端VDD连接，发射极与第二晶体管Q2、第四晶体管Q4和第六晶体管Q6的集电极连接，集电极与第四电感L4和第十二电容C12连接；第一电容C1跨接在输入端RFIN1和地线端GND之间；第二电容C2跨接在输入端RFIN2和地线端GND之间；第一电感L1跨接在输入端RFIN1和第三电容C3、第五电容C5和第七电容C7之间；第二电感跨接在输入端RFIN2和第四电容C4、第六电容C6和第八电容C8之间；第九电容C9跨接在第三晶体管Q3的基极和发射极之间；第十电容C10跨接在第四晶体管Q10的基极和发射极之间；第三电感L3跨接在第七晶体管Q7和电源端VDD之间，第四电感L4跨接在第八晶体管Q8和电源端VDD之间；第十一电容C11跨接在第七晶体管Q7和输出端RFOUT1之间；第十二电容C12跨接在第八晶体管Q8和输出端RFOUT2之间；第一电阻R1跨接在第一晶体管Q1的基极和第三偏压BIAS3之间；第二电阻R2跨接在第二晶体管Q2基极和第三偏压BIAS3之间；第三电阻R3跨接在第三晶体管Q3基极和第一偏压BIAS1之间；第四电阻R4跨接在第四晶体管Q4基极和第一偏压BIAS1之间；第五电阻R5跨接在第五晶体管Q5基极和第二偏压BIAS2之间；第六电阻R6跨接在第六晶体管Q6基极和第二偏压BIAS2之间。