[发明专利]一种同时实现DDMOS和LDMOS漂移区的工艺有效
| 申请号： | 201010271195.5 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102386131A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 刘正超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种同时实现DDMOS和LDMOS漂移区的制作工艺，该工艺步骤包括：提供至少一个第一类型的第一阱区，用于制作DDMOS器件；提供至少一个第一类型的第二阱区，用于制作LDMOS器件；每一所述第一阱区和第二阱区均包括与第一类型相反的两个注入区，将制作DDMOS器件区域用掩膜保护，同时对制作LDMOS器件区域的注入区刻蚀形成浅沟槽；在浅沟槽形成内衬氧化层；对制作DDMOS器件的区域和制作LDMOS器件的区域退火形成漂移区。本发明解决了传统工艺中DDMOS和LDMOS不能同时进行漂移区制作的问题，减少了工序步骤，降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同时 实现 ddmos ldmos 漂移 工艺 | ||
【主权项】：
一种同时实现DDMOS和LDMOS漂移区的制作工艺，该工艺步骤包括：提供至少一个第一类型的第一阱区，用于制作DDMOS器件；提供至少一个第一类型的第二阱区，用于制作LDMOS器件；每一所述第一阱区和第二阱区均包括与第一类型相反的两个注入区，其特征在于，还包括以下步骤：将所述制作DDMOS器件区域用掩膜保护，同时对所述制作LDMOS器件区域的所述注入区刻蚀形成浅沟槽；在所述浅沟槽形成内衬氧化层；对所述制作DDMOS器件的区域和所述制作LDMOS器件的区域退火形成漂移区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010271195.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种分段式球囊扩张导管
- 下一篇：整体吊装电池箱堆垛车
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
