[发明专利]超低损耗微波介质陶瓷制备方法及在射频/微波电容器中的应用无效
| 申请号： | 201010238900.1 | 申请日： | 2010-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102336569A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 游钦禄 | 申请（专利权）人： | 游钦禄 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50;C04B35/622;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054 四川省成都市建设北路*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了超低损耗微波介质陶瓷制备方法及在射频/微波电容器中的应用，特别涉及微波介质陶瓷制造技术领域，其主成分是由Nd、Ba、Ti的氧化物为基材复合而成，组成中添加至少一种以上微量稀土氧化物。微波介质陶瓷制造工艺中引入了搅拌磨生产加工工艺，使得微波介质陶瓷材料的批量生产工艺重复性和稳定性得到有效的控制。该微波介质陶瓷材料在制作射频/微波多层陶瓷电容器生产中采用了介质陶瓷膜片流延加工技术和多层陶瓷电容器印刷叠片生产工艺技术。采用中温烧结，经产品测量其介电常数为52～54、温度系数为零(0±30PPM/℃)、超低损耗(0.0001～0.000002高Q值：≥10 000～500 000)。该超低损耗微波介质陶瓷是制作射频/微波多层陶瓷电容器高端电子元器件的关键材料。 | ||
| 搜索关键词： | 损耗 微波 介质 陶瓷 制备 方法 射频 电容器 中的 应用 | ||
【主权项】：
超低损耗微波介质陶瓷制备方法及在射频/微波电容器中的应用，其特征在于，所述的预先合成烧块，的制备方法，由下述重量百分数的氧化物成分：50～62wt％的Nd、7.1～15wt％的Ba、35～45wt％的Ti所组成。
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