[发明专利]铝表面微凹槽制备方法无效
| 申请号： | 201010221857.8 | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101913052A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 何洋;刘振亚;任森;陈俊;田梦君;乔大勇;苑伟政;姜澄宇 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | B23P9/02 | 分类号： | B23P9/02;C23F1/02;C23F1/24 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 吕湘连 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新的一种铝表面微凹槽制备方法，属于机械制备技术领域。本发明通过光刻和湿法刻蚀制备硅微结构，通过硅微结构压印铝表面获得微凹槽，从而实现铝表面微凹槽的可控制备。光刻刻蚀可以控制硅微结构的形状和周期，具有很好的精度，并可批量制备硅微结构，从而大大提高效率，因此克服了现有方法不可控或精度低、效率低的不足。该方法可用于船舶及水下航行器减阻。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 凹槽 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铝表面微凹槽的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：设计制作掩模；步骤二：选用<100>晶向，单面抛光的硅片，并清洗硅片；步骤三：在硅片上沉积氮化硅或者二氧化硅牺牲层，作为微结构湿法刻蚀掩模层；涂覆光刻胶，作为光刻图形转移层；步骤四：光刻，曝光，显影，将掩模上的图形转移到光刻胶上；步骤五：将硅片放入牺牲层刻蚀液中，刻蚀掉暴露的牺牲层，使图形转移到牺牲层上；步骤六：将硅片放入刻蚀液中进行刻蚀；步骤七：清洗残余牺牲层和光刻胶，获得具有不同形状和周期的硅微结构；步骤八：在硅微结构上溅射银膜或铬膜；步骤九：将硅微结构朝下，置于铝表面上，在硅微结构上施加120N 500N的压力，在铝表面形成微凹槽。
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