[发明专利]非直线锥形倒锥耦合器结构无效
| 申请号： | 201010207340.3 | 申请日： | 2010-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101881861A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 任光辉;陈少武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/26 | 分类号： | G02B6/26;G02B6/122 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非直线锥形倒锥耦合器结构，包括：一硅衬底；一埋氧层，该埋氧层制作在衬底上，该埋氧层的材料为二氧化硅；一顶层硅，该顶层硅制作在埋氧层上，可以有效的防止光泄漏到衬底中，该顶层硅的一端为条形波导，另一端为倒锥耦合器，其中该倒锥耦合器为渐变的指数型或二次方型结构，该倒锥耦合器的工作波长为1500nm到1600nm，其插入损耗的波动小于0.3dB。 | ||
| 搜索关键词： | 直线 锥形 耦合器 结构 | ||
【主权项】：
一种非直线锥形倒锥耦合器结构，包括：一衬底；一埋氧层，该埋氧层制作在衬底上；一顶层硅，该顶层硅制作在埋氧层上，可以有效的防止光泄漏到衬底中，该顶层硅的一端为条形波导，另一端为倒锥耦合器。
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