[发明专利]碳纳米管簇的干法密实化方法无效
| 申请号： | 201010201218.5 | 申请日： | 2010-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101850961A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 刘建影 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳纳米管簇的干法密实化技术。由于CVD合成的碳纳米管处于稀松排列的状态，在很多使用碳纳米管簇作为导电或导热途径的应用中，多孔性使其优势和潜力无从体现。因此对碳纳米管簇进行密实化处理是非常重要的。本发明提供了一种干法密实化碳纳米管簇的技术。这一干法密实化工艺，其基本原理为在低压下使用薄膜沉淀技术将碳纳米管簇密封起来。将其取出置于常压下之后，在沉积的薄膜的内外两侧会形成接近于一个大气压的压力差，造成薄膜变形并将压力施加在碳纳米管上，从而实现碳纳米管簇的密实化。和湿法相比，这一干法工艺能显著提高碳纳米管簇密实化过程的一致性和可重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 密实 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管簇的干法密实化方法，其特征在于该方法具有以下的工艺过程和步骤：(1)使用反应溅射法沉积50至200纳米厚的二氧化硅薄膜在碳纳米管簇的表面，沉积在0.01～0.05毫大气压下进行；(2)将载有碳纳米管簇的基底取出至常压下后，可得到密实化的碳纳米管簇。
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