[发明专利]去耦电容有效
| 申请号： | 201010198400.X | 申请日： | 2010-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101908538A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H03H11/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的去耦电容包括多个薄场效应晶体管和多个分压器；所述多个薄场效应晶体管串联，接在待去除纹波的高电压与地之间；所述多个分压器串联，接在待去除纹波的高电压与地之间；所述多个分压器与所述多个薄场效应晶体管一一对应，各个薄场效应晶体管其连接下一薄场效应晶体管的接口与对应的分压器的输出端连接，各个分压器为对应的薄场效应晶体管提供电压，使对应的薄场效应晶体管工作在非截止状态。本发明的去耦电容占用面积小，符合集成电路发展趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 | ||
【主权项】：
一种去耦电容，其特征在于，包括多个薄场效应晶体管、多个分压器和多个连接器；所述多个薄场效应晶体管串联，接在待去除纹波的高电压与地之间；所述多个分压器串联，接在待去除纹波的高电压与地之间；所述多个分压器与所述多个薄场效应晶体管一一对应，除接地的薄场效应晶体管和分压器外，其他各个薄场效应晶体管其连接下一薄场效应晶体管的接口与通过一连接器对应的分压器的输出端连接，各个分压器为对应的薄场效应晶体管提供电压，使对应的薄场效应晶体管工作在非截止状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
