[发明专利]一种旱地甘薯栽培方法无效

专利信息
申请号: 201010196111.6 申请日: 2010-06-07
公开(公告)号: CN101849499A 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 吴太平 申请(专利权)人: 吴太平
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00;A01G13/02;C05F15/00;C05F17/00
代理公司: 山西五维专利事务所(有限公司) 14105 代理人: 李建伟
地址: 048000 山西省晋城*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明涉及一种旱地甘薯栽培方法,属于农作物栽培方法技术领域。本发明是解决目前旱地甘薯栽培方法不合理、产量低的技术问题。本发明的技术方案为:1)育苗:三月下旬按比例将动物粪便与粉碎的农作物秸秆混合均匀制成垫料,将垫料铺在育苗床上,然后铺河砂,放上种甘薯后用河砂覆盖,控制合适的温度待长出种苗;2)整地施肥:三月下旬雨后,施腐熟农家肥后将土地翻耕整平、划行、施钾肥后再次整平后并用薄膜覆盖;3)栽培:四月下旬至五月上旬,在薄膜上穿孔栽培即可。本发明具有出苗率高、能保持土壤水份、薯农劳动强度低,产量高等优点。
搜索关键词: 一种 旱地 甘薯 栽培 方法
【主权项】:
一种旱地甘薯栽培方法,其特征是包括以下步骤:1)育苗:a、三月下旬将动物粪便与粉碎的农作物秸秆按照1∶3~4的重量比混合均匀,制成垫料;b、在育苗床上铺30~50厘米高的垫料,压实后按照25~30千克/平方米的比例洒人类粪便,然后加8~12厘米高的河砂;c、按照20~25千克/平方米的比例在河砂上洒水,将种甘薯均匀置于河砂上,以常规方法喷洒多菌灵喷雾消毒,在种甘薯上盖6~8厘米高的河砂,再按照8~10千克/平方米的比例洒水;d、用塑料薄膜遮盖育苗床并控制塑料薄膜内温度:出芽前为29~32℃,出芽后为25~28℃,待甘薯芽长至20~30厘米高时即为种苗;2)整地施肥:三月下旬雨后,按常规方法施腐熟农家肥1300~1500千克/亩后将土地翻耕整平,以50~60厘米的行距制成划行,顺行施钾肥后覆盖高度为10~15厘米的土,再次整平后用薄膜覆盖;3)栽培:四月下旬至五月上旬,在薄膜上穿直径为0.8~1.2厘米,深度为10~12厘米的孔栽培种苗,株距为30~33厘米,常规方法洒水后土封种苗,查苗补苗,除草,收获。
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