[发明专利]一种基于金硅共晶的低温键合方法无效
| 申请号： | 201010189314.2 | 申请日： | 2010-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101844740A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 熊斌;荆二荣;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于金硅共晶的低温键合的方法，包括上基板的制备、下基板的制备以及上、下基板对准键合，其特征在于以金和硅为键合材料，通过加温加压的方式实现了键合。由于Au不易氧化，所以键合界面没有金属氧化层阻碍键合反应。当键合温度大于Au/Si的共晶温度时，反应中会形成液态的AuSi合金，液态的合金不仅会增强硅和金的扩散，还可以消除键合表面粗糙度的影响。同时，非晶硅或多晶硅表面沉积了一层Ti/Au层，其中Ti金属层用于除去硅表面的自然氧化层，使Au/Si反应在键合区域的各个点都发生。更重要的是，该键合方法不仅可以用于硅材料的键合，还可以用于非硅材料的键合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金硅共晶 低温 方法 | ||
【主权项】：
一种基于金硅共晶的低温键合的方法，其特征在于包括上基板的制备、下基板的制备、上基板与下基板对准键合，具体步骤是：(1)上基板制备：在抛光的单晶硅片上，先热生长或化学气相沉积一层氧化硅，再在氧化硅层上的待键合处依次蒸发或溅射Ti膜和Au膜；(2)下基板制备：在抛光的单晶硅片上，先热生长或化学气相沉积一层氧化硅，再在氧化硅层上的待键合处化学气相沉积一层非晶硅或多晶硅层，然后在非晶硅或多晶硅层上依次蒸发或溅射Ti膜和Au膜；(3)将步骤1和2的上基板与下基板的键合面对准并贴合，再送入键合机，升温至340-450℃，并施加0.2-0.4MPa的压力，然后撤除压力，冷却到室温，实现低温键合。
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