[发明专利]一种查找缺陷掩模板的方法有效
申请号: | 201010184628.3 | 申请日: | 2010-05-20 |
公开(公告)号: | CN102253595A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 马万里;赵文魁 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体芯片制造领域,特别涉及一种查找缺陷掩模板的方法。该方法包括:从需要曝光的掩模板中,选取至少一层掩模板;确定选取的掩模板对应的shot,其中,选取的每层掩模板对应不同的shot;针对每一个shot,将该shot对应的掩模板上的指定区域曝光到该shot的整个区域上,以及将除该shot对应的掩模板之外的其他各个掩模板的整个区域叠加曝光到该shot的整个区域上;对每个shot进行良率测试得到每个shot的待验证良率值,并根据每个shot的待验证良率值,确定每个shot对应的掩模板是否有缺陷。通过本发明实施例中提供的方法,提高了查找缺陷掩模板的效率,缩短耗时,节省经济成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 查找 缺陷 模板 方法 | ||
【主权项】:
一种查找缺陷掩膜版的方法,其特征在于,包括:从需要曝光的掩膜版中,选取至少一层掩膜版;确定选取的所述掩膜版对应的曝光场shot,其中,选取的每层所述掩膜版对应不同的shot;针对每一个shot,将该shot对应的掩膜版上的指定区域曝光到该shot的整个区域上,以及将除该shot对应的掩膜版之外的其他各个掩膜版的整个区域叠加曝光到该shot的整个区域上;对每个所述shot进行良率测试得到每个所述shot的待验证良率值,并根据每个所述shot的待验证良率值,确定每个所述shot对应的所述掩膜版是否有缺陷。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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