[发明专利]一种高分散尺寸可控的纳米羟基锡酸锌阵列的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010176968.1 申请日: 2010-05-14
公开(公告)号: CN101844798A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 张跃;秦子;黄运华;齐俊杰;廖庆亮;王钦玉;邢修君;尹艳萍 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C01G19/00 分类号: C01G19/00
代理公司: 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 代理人: 刘淑芬
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种高分散尺寸可控的纳米羟基锡酸锌阵列的制备方法,属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺步骤如下:将硝酸锌和氨水溶解于去离子水配制成硝酸锌浓度为0.09~0.1mol/L、溶液pH值为9~10的反应溶液;选取含α-{Cu,Sn}相的铜基片作为反应基底;将基片表面进行抛光处理后放入反应溶液中反应1~12小时;取出基片,反复清洗后干燥,得到羟基锡酸锌纳米单晶阵列。本发明可快速制备一种大面积的纳米羟基锡酸锌定向阵列,合成方法简单、成本低、效率高、产品粒径可调范围广、适合大规模生产。
搜索关键词: 一种 分散 尺寸 可控 纳米 羟基 锡酸锌 阵列 制备 方法
【主权项】:
一种高分散尺寸可控的纳米羟基锡酸锌阵列的制备方法,其特征在于,制备工艺为:a.将六水合硝酸锌溶于去离子水中并超声波处理充分溶解均匀,然后将氨水逐渐滴加到上述硝酸锌水溶液中并不断搅拌调节pH值范围至9~10,水合硝酸锌的浓度为0.09~0.1mol/L,获得的此溶液即为反应所需的反应溶液;b.选用α-{Cu,Sn}相的铜片作为生长基底;对基底进行抛光处理后放入反应釜中,加入a步骤配制好的反应溶液,在95~100℃下反应,反应时间控制为1小时~12小时;c.反应结束后,将基片取出,先用去离子水反复冲洗,清洗烘干后可以看到基片上形成了十分均匀的乳白色薄膜,此薄膜即为所制得的羟基锡酸锌纳米单晶阵列。
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