[发明专利]一种高光转化率的含氟聚噻吩光电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201010176879.7 | 申请日： | 2010-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101831056A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 薛立新;葛子意;戴宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;C09K11/06;H01L51/46 |
| 代理公司： | 宁波市天晟知识产权代理有限公司 33219 | 代理人： | 张文忠;任汉平 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高光转化率的含氟聚噻吩光电材料及其制备方法。本发明高光转化率的含氟聚噻吩光电材料具有含氟聚噻吩受体-聚噻吩-聚噻吩给体的三嵌段高分子结构，其中含氟聚噻吩受体是含氟烷基链的聚噻吩。与现有技术相比，本发明含氟聚噻吩光电材料在聚噻吩结构中引入了强吸电子的含氟基团，提高了电子接受能力；利用可控分步催化剂转移聚合法，合成结构规整的含氟聚噻吩受体-聚噻吩-聚噻吩给体的三嵌段聚噻吩高分子结构，具有缺陷少、载流子损失率低和光转化率高的特点，因而可以用于有机薄膜太阳能电池领域，为制备出高光转化率的太阳能电池提供了一种理想的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 转化 含氟聚 噻吩 光电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高光转化率的聚噻吩光电材料，其特征是：具有含氟聚噻吩受体-聚噻吩-聚噻吩给体的三嵌段聚噻酚高分子，该三嵌段聚噻酚高分子的结构式为：![]()
其中，第一嵌段的含氟聚噻吩受体是含氟烷基链的聚噻吩，分子式中Rf指代具有含氟烷基链的基团；第三嵌段的聚噻吩给体是含烷基链、烷氧基链或者三苯胺基链的聚噻吩，分子式中R指代含烷基链、烷氧基链或者三苯胺基链。
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