[发明专利]一种薄膜生长中原位弱吸收光学薄膜厚度检测方法无效
| 申请号： | 201010176138.9 | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101846499A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 陆卫;王少伟;俞立明;崔宝双;王晓芳;陈效双;郭少令 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所;阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司;上海宇豪光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜生长中原位弱吸收光学薄膜厚度检测方法。该方法以镀有一层厚度足以引起干涉的打底膜为衬底，通过测量镀膜前后透(反)射谱的变化，即可实现薄膜厚度的测量。由于打底膜的厚度已经引起干涉，新镀上去的待测薄膜即使很薄，也会引起干涉的变化，由镀制待测薄膜前后透(反)射谱干涉的变化就可以很容易地准确测量出待测薄膜的厚度，其测量极限高达3nm以上。该方法可以准确测量纳米超薄膜的厚度，只需测量镀制待测薄膜前后的透(反)射谱，就可以快速获得待测薄膜的厚度，非常简单、快捷，特别适用于镀膜行业的在线检测和实时监控，尤其是对于弱吸收材料超薄膜的厚度测量，本发明方法克服了传统方法测量的困难。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 生长 原位 吸收 光学薄膜 厚度 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜生长中原位弱吸收光学薄膜厚度检测方法：其特征在于：首先，在衬底(1)上镀制了一层足以引起干涉的打底膜(2)作为衬底膜，测量其透射谱或反射谱；再在其上镀制一层待测薄膜(3)；由镀制待测薄膜(3)前后透射谱或反射谱干涉的变化测量出待测薄膜(3)的厚度。
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