[发明专利]一种取向ZnO纳米棒薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201010146883.9 | 申请日： | 2010-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101818346A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王连英;章定恒;岳爽;何静 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C23C26/02 | 分类号： | C23C26/02;C01G9/02 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 何俊玲 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备取向ZnO纳米棒薄膜及其制备方法。该向ZnO纳米棒薄膜是ZnO纳米棒垂直于基片向同一方向生长，具有c轴取向性，ZnO纳米棒直径为50-100nm，长度为100-400nm，且长度和大小较均一。该ZnO纳米棒薄膜的制备方法是以锌铁水滑石为前驱体，经溶剂蒸发组装成膜，再在保护气环境下高温焙烧处理，得到取向ZnO纳米棒薄膜。该方法具有设备简单，易操作，反应温度低，对环境无害，产物形貌可控，与基底黏附性好等特点。该取向ZnO纳米棒薄膜具有很好的紫外发光性能，其在390nm处具有很强的紫外带边发射峰，其半峰宽仅为7.9nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 zno 纳米 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种取向ZnO纳米棒薄膜，其特征是ZnO纳米棒垂直于基片向同一方向生长，具有c轴取向性，ZnO纳米棒直径为50-100nm，长度为100-400nm，且长度和大小较均一。
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