[发明专利]一种降低多晶制绒反射率的方法无效
| 申请号： | 201010129489.4 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101794843A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张军 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低多晶制绒反射率的方法，用于降低多晶片表面制绒后的反射率，具有以下步骤：A、酸制绒：采用由多晶硅制成的多晶片，将多晶片进行酸制绒处理，使多晶片单面腐蚀深度为3～5微米，多晶片表面形成酸制绒绒面；B、碱制绒：将已进行酸制绒处理的多晶片放入0.1％～10％的KOH溶液或NaOH溶液中处理10～30分钟，溶液温度为70～100度，多晶片<100>面形成金字塔形的金字塔绒面。采用本发明的方法制成的多晶片表面的反射率较低，用其多晶片制作的太阳能电池的转换效率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 多晶 反射率 方法 | ||
【主权项】：
一种降低多晶制绒反射率的方法，用于降低多晶片表面制绒后的反射率，其特征在于：具有以下步骤：A、酸制绒：采用由多晶硅制成的多晶片，将多晶片进行酸制绒处理，使多晶片单面腐蚀深度为3～5微米，多晶片表面形成酸制绒绒面；B、碱制绒：将已进行酸制绒处理的多晶片放入0.1％～10％的KOH溶液或NaOH溶液中处理10～30分钟，溶液温度为70～100度，多晶片<100>面形成金字塔形的金字塔绒面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
