[发明专利]基于非对称异维结构的光电导传感器有效
申请号: | 201010108593.5 | 申请日: | 2010-02-05 |
公开(公告)号: | CN101794837A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 朱嘉麟;杨铭杰;韦进全;刘伟;孙家林 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 邸更岩 |
地址: | 100084 北京市10*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 基于非对称异维结构的光电导传感器,涉及一种光电导传感器件。该光电导传感器包含透明导电光电子发射层、光电转换层、电子接收层、上电极引线以及下电极引线;透明导电光电子发射层采用低维度的碳纳米管薄膜,光电转换层采用中等维度的氧化钛纳米管阵列,电子接收层采用厚度为毫米量级的钛薄片,在上电极引线与碳纳米管薄膜相连接区域的碳纳米管薄膜下方设置绝缘层,钛薄片下表面与下电极引线相连接,从而使其形成非对称异维结构。该光电导传感器具有结构简单,制作方便等优点,且其光电响应速度很快,其光谱响应范围可以从紫外光区域拓宽到可见光区域,因此该器件在未来的高分辨光电子学探测技术领域中将具有十分广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 基于 对称 结构 电导 传感器 | ||
【主权项】:
一种基于非对称异维结构的光电导传感器,其特征在于:该光电导传感器包含透明导电光电子发射层、光电转换层、电子接收层、上电极引线以及下电极引线;所述的透明导电光电子发射层作为光电导传感器的上电极,电子接收层作为光电导传感器的下电极,所述的透明导电光电子发射层采用碳纳米管薄膜(3),光电转换层采用氧化钛纳米管阵列(2),电子接收层采用钛薄片(1);在上电极引线(5)与碳纳米管薄膜(3)相连接区域的碳纳米管薄膜下方设置绝缘层(4),将钛薄片下表面与下电极引线(6)相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的