[发明专利]光电元件及其形成方法有效
| 申请号： | 201010003228.8 | 申请日： | 2010-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102122034A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 苏宗一;王铭义;蓝邦强;廖德淦;苏昭安;黄建欣;吴惠敏;谭宗涵;陈敏;林梦嘉 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42;H01L31/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种光电元件及其形成方法。该光电元件包括基底、半船型材料层、深沟槽隔离结构及光波导。基底具有第一区。半船型材料层配置于第一区的基底中。半船型材料层的折射率小于基底的折射率。半船型材料层的顶面与基底的表面齐平。深沟槽隔离结构配置于第一区的基底中，且位于半船型材料层的头部的一侧。光波导配置于第一区的基底上。光波导与部分深沟槽隔离结构及至少部分半船型材料层重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种光电元件，包括：基底，具有第一区；半船型材料层，配置于该第一区的该基底中，其中该半船型材料层的折射率小于该基底的折射率，且该半船型材料层的顶面与该基底的表面齐平；深沟槽隔离结构，配置于该第一区的该基底中，且位于该半船型材料层的头部的一侧；以及光波导，配置于该第一区的该基底上，与部分该深沟槽隔离结构及至少部分该半船型材料层重叠。
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