[发明专利]用于制造薄膜晶体管阵列基板的方法和装置有效
| 申请号： | 200980137586.3 | 申请日： | 2009-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102171605A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李亨燮 | 申请（专利权）人： | JS光源科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于制造薄膜晶体管阵列基板的方法和装置，其由于简化了制造工艺而能够减少制造时间，其中通过激光划线工艺执行用于形成栅图案、形成半导体图案、形成数据图案、去除在源极和漏极图案之间暴露出的欧姆接触层图案、以及形成导电层图案的步骤中的至少一个步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 薄膜晶体管 阵列 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种制造TFT阵列基板的方法，包括：在基板的整个表面上形成栅材料；执行第一构图步骤，以便通过对栅材料进行构图而形成包括栅线、栅极图案和栅焊盘电极图案的栅图案；在包括栅图案的基板的整个表面上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成包括半导体层和欧姆接触层的半导体材料；执行第二构图步骤，以便通过对所述半导体层和欧姆接触层进行构图而在所述栅极图案上方形成包括半导体层图案和欧姆接触层图案的半导体图案；在包括所述半导体图案的基板的整个表面上形成数据材料；执行第三构图步骤，以便通过对所述数据材料进行构图而形成源极和漏极图案，所述源极和漏极图案彼此相距预定间隔，并且位于数据线、数据焊盘电极和欧姆接触层图案的上方；去除在所述源极和漏极图案之间暴露出的欧姆接触层；以及在去除了在源极和漏极图案之间暴露出的欧姆接触层后的基板的整个表面上形成钝化层，其中所述去除欧姆接触层图案的步骤以及第一至第三构图步骤中的至少一个步骤是通过使用激光束的激光划线工艺执行的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于JS光源科技有限公司，未经JS光源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980137586.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
