[发明专利]引达省并二噻吩和引达省并二硒吩聚合物以及它们作为有机半导体的用途有效

专利信息
申请号: 200980132262.0 申请日: 2009-07-24
公开(公告)号: CN102124044A 公开(公告)日: 2011-07-13
发明(设计)人: S·蒂尔尼;C·贝利;W·米切尔;W·张 申请(专利权)人: 默克专利股份有限公司
主分类号: C08G61/00 分类号: C08G61/00;C08G61/12;H01B1/00;H01L31/00;H01L51/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 邓毅
地址: 德国达*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及包含引达省并二噻吩或引达省并硒吩单元或其衍生物的共轭聚合物、其制备方法、其中所用的新型单体单元、以及该聚合物在有机电子(OE)器件中的用途和包含该聚合物的OE器件。
搜索关键词: 引达省 噻吩 二硒吩 聚合物 以及 它们 作为 有机半导体 用途
【主权项】:
1.包含一种或多种相同或不同的式I的单体单元的共轭聚合物其中A1和A2中的一个是单键以及另一个是CR1R2,A3和A4的中的一个是单键以及另一个是CR3R4,U1和U2中的一个是-CH=或=CH-以及另一个是-X-,U3和U4中的一个是-CH=或=CH-以及另一个是-X-,条件是如果Ai是单键,则相应的Ui是X(且i为从1-4的系数),X每次出现时独立地选自-S-和-Se-,R1-4彼此独立地是相同或不同的选自如下的基团:H、卤素、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR0R00、-C(=O)X0、-C(=O)R0、-NH2、-NR0R00、-SH、-SR0、-SO3H、-SO2R0、-OH、-NO2、-CF3、-SF5、P-Sp-,任选取代的甲硅烷基,或任选取代且任选包含一个或多个杂原子的具有1到40个C原子的碳基或烃基,P是可聚合基团,Sp是间隔基团或单键,X0是卤素,R0和R00彼此独立地是H或任选取代且任选包含一个或多个杂原子的碳基或烃基,Ar1和Ar2彼此独立地是任选取代的芳基或杂芳基,-CY1=CY2-或-C≡C-,Y1和Y2彼此独立地是H、F、Cl或CN,m1和m2彼此独立地是0或1、2、3或4。
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