[发明专利]光伏电池模件及其形成方法无效
| 申请号： | 200980113114.4 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102007603A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | K·郝勒;M·豪威尔;D·约翰逊;D·胡恩;B·柯都拉;N·E·施法德 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;C08G77/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张钦 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供光伏电池模件，含至少两个模件的光伏阵列，和形成该模件的方法。光伏电池模件包括基片和置于基片上的连接层。连接层的穿透深度为1.1-100mm和粘性值小于-0.6g.s。光伏电池模件还包括置于连接层上的光伏电池。形成光伏电池模件的方法包括在基片上步骤连接层和在连接层上布置光伏电池，形成光伏电池模件的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 模件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种光伏电池模件，它包括：A.基片；B.置于所述基片上的连接层，该连接层的穿透深度为1.1‑100mm和粘性值小于‑0.6g.s；和C.置于所述连接层上的光伏电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
