[发明专利]固态成像装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200980108807.4 | 申请日： | 2009-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101971342A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 小池英敏 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 吕林红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种固态成像器件，包括：第一导电型的半导体衬底，具有设置在其表面上的扩散层区；第一导电型的用于像素分离的扩散层，其底部形成在所述扩散层区在像素区中的最深位置处；以及第一导电型的第一深扩散层，设置在所述扩散层区在第一外围逻辑区中的最深位置处，用于电连接所述半导体衬底和所述第一外围逻辑区，并且具有与所述用于像素分离的扩散层相等的第一浓度梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种固态成像器件，包括：第一导电型的半导体衬底，具有设置在其表面上的扩散层区；第一导电型的用于像素分离的扩散层，其底部形成在所述扩散层区在像素区中的最深位置处；以及第一导电型的第一深扩散层，设置在所述扩散层区在第一外围逻辑区中的最深位置处，用于电连接所述半导体衬底和所述第一外围逻辑区，并且具有与所述用于像素分离的扩散层相等的第一浓度梯度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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