[实用新型]一种基于非晶薄带磁感应效应的磁场传感器无效

专利信息
申请号: 200920241831.2 申请日: 2009-12-22
公开(公告)号: CN201600442U 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 蒋达国;刘建军;王建平;刘智敏 申请(专利权)人: 井冈山大学
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 南昌洪达专利事务所 36111 代理人: 刘凌峰
地址: 343000 江*** 国省代码: 江西;36
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种基于非晶薄带磁感应效应的磁场传感器,其特征是正弦交流信号发生器连接非晶薄带,非晶薄带连接峰值检波器,峰值检波器连接AD转换器,AD转换器连接数字显示器,非晶薄带上分别绕有自感线圈和偏置线圈。本实用新型的技术效果是:(1)微稀土化铁基非晶纳米晶薄带对应力变化不敏感,可以减小加工过程的应力对非晶薄带性能的影响;(2)只用了一个自感线圈和偏置线圈,并选用了低频(30kHz左右)正弦交流电压,使传感器的结构简单,成本较低;(4)在非晶薄带的轴向施加一个偏置磁场,用来调节磁芯的工作点,实现在小磁场范围内测量磁场的大小和方向。
搜索关键词: 一种 基于 非晶薄带磁 感应 效应 磁场 传感器
【主权项】:
一种基于非晶薄带磁感应效应的磁场传感器,它包括正弦交流信号发生器、非晶薄带、峰值检波器、AD转换器、数字显示器,其特征是正弦交流信号发生器连接非晶薄带,非晶薄带连接峰值检波器,峰值检波器连接AD转换器,AD转换器连接数字显示器,非晶薄带上分别绕有自感线圈和偏置线圈。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于井冈山大学,未经井冈山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200920241831.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top