[实用新型]改良型光传感器有效
| 申请号： | 200920149922.3 | 申请日： | 2009-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN201478335U | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 周文隆;朱倪廷 | 申请（专利权）人： | 鼎元光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/115 | 分类号： | H01L31/115;H01L31/0232;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0203 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型是一种改良型光传感器，包括：一基体、一受光芯片以及一镀膜。该基体具有第一、二电极部；该受光芯片设置于基体上，且受光芯片还分别与基体的第一、二电极部彼此电性连接；该镀膜形成于受光芯片上，且镀膜能滤掉可见光而保留不可见光。从而达到仅能接收不可见光、以及整体体积可缩至最小的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 传感器 | ||
【主权项】：
一种改良型光传感器，其特征在于，包括：一基体，具有一第一电极部和一第二电极部；一受光芯片，设置于该基体上，该受光芯片还分别与该基体的第一、二电极部彼此电性连接；以及一镀膜，形成于该受光芯片上，该镀膜是滤掉可见光而保留不可见光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
